IPD023N04NF2S замена IRFR8314

1. Ниже сопротивление открытого канала (Rds(on))
У IPD023N04NF2S всего 2,3 мОм при 10 В, тогда как у IRFR8314 — 2,2–2,4 мОм. Но при более низких напряжениях (4,5–5 В) IPD стабильно показывает меньшее сопротивление (~3 мОм против ~3,1–4,4 мОм у IRFR8314), что даёт меньшие потери.

2. Более высокая предельная мощность
Максимальная рассеиваемая мощность у IPD023N04NF2S — 136 Вт, у IRFR8314 — 110 Вт. Это значит, что IPD выдерживает большие нагрузки при тех же условиях.

3. Современный дизайн и меньшая собственная ёмкость
IPD — более новый чип Infineon, разработанный с учётом высокочастотной коммутации, поэтому лучше подходит для современных DC/DC-преобразователей и электронных нагрузок.

4. Лучшее тепловое сопротивление
Благодаря усовершенствованному корпусу и кристаллу IPD имеет меньшее тепловое сопротивление, что значит меньший нагрев при одинаковых условиях.