IPD023N04NF2S заміна IRFR8314

1. Нижчий опір відкритого каналу (Rds(on))
IPD023N04NF2S має лише 2,3 мОм при 10 В, тоді як IRFR8314 — 2,2–2,4 мОм. Але при нижчих напругах (4,5–5 В) IPD показує стабільно нижчий опір (~3 мОм проти ~3,1–4,4 мОм у IRFR8314), що дає менші втрати.

2. Вища гранична потужність
Максимальна потужність розсіювання у IPD023N04NF2S — 136 Вт, у IRFR8314 — 110 Вт. Це означає, що IPD витримує більші навантаження при однакових умовах.

3. Сучасніший дизайн і нижча власна ємність
IPD — це більш новий чип Infineon, розроблений з урахуванням високочастотної комутації, тому він краще підходить для сучасних DC/DC-конвертерів і електронних навантажень.

4. Кращий термічний опір
Завдяки вдосконаленому корпусу й кристалу IPD має нижчий термічний опір, що означає менший нагрів при однакових умовах.